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NP90N04VDG-E1-AY
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Renesas瑞薩完整型號:NP90N04VDG-E1-AY

制造廠家名稱:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH TO-252

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):90A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4 毫歐 @ 45A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):135nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6900pF @ 25V

功率 - 最大值:1.2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝:TO-252


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